dv/dt检测设备

为德国英飞凌公司定制的tq、 qr and dv/dt检测设备
该测试设备适用于高电压,大电流的半导体器件测试, 是上同类产品的高水平 。
该设备可以测试晶闸管、 整流管关断时间tq、反向恢复时间qr、电压上升率dv/dt、自动热稳态压力实具。
晶闸管、 整流管是传统、 常见的电力半导体器件, 我公司研制开发的相关检测及可靠性设备广泛用于电力电子器件的生产企业、铁路、 svc阀体生产厂、高压工程、地铁等行业。
晶闸管、整流管器件静态测试台主要参数及测试范围
测试项目
伏安特性测试
晶闸管门极特性测试
晶闸管维持特性测试
晶闸管筆住电流测试
通态峰値压降测试
主要参数及范围
峰值电压:500~15kv
漏电流: 0.1 ~1000ma
门极电压vgt:0.2~ 5v
门极电流lgt:1ma~1a
维持电流hi:
1ma~500ma
擎住电流il:
2ma~ 1 000ma
峰値电流itm: 500a~ 10ka
峰值压降vtm:  0.1 ~10v
晶闸管、整流管器件动态测试台主要参数及测试范围
测试项目
电压上升率dv/dt测试
电流上升率di/dt测试
晶间管关断时间测试tq
晶闸管恢复特性测试
主要参数及范围
断态电压vd: 100~5000v
dv/dt: 100-2500v/us
通态电流: 10~5000a
di/dt: 10-2000a/us
通态电流lt:  200~4000a(4ms）
-di/dt:60a/us
断态电压vd: 100-4500v
dv/dt: 100-2000v/us
反向电压vrr:200v
-di/dt:60a/us
正向电流lt:200~4000a
脉宽: 1000~4000us
反向,陝复电流lrr: 500a
反向申压vrr:200v
-di/dt: 60a/us
恢复电荷qrr: 100~25000uc