直流数字电压表电路图-数字电压-传感ic电子驱动ic

数字ic后端设计(一)
1. 数据准备。
对于 cdn 的 silicon ensemble而言后端设计所需的数据主要有是foundry厂提供的标准单元、宏单元和i/o pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源pad的def（designexchange format）文件。(对synopsys 的astro 而言，数字电压，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 sdc是一样的，pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， foundry厂提供的标准单元、宏单元和i/opad的库文件就与fram， cell view， lm view 形式给出(milkway 参考库 and db， lib file)
2. 布局规划。
主要是标准单元、i/o pad和宏单元的布局。i/opad预先给出了位置，数字电压定义，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，core的面积，row的形式、电源及地线的ring和strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，直流数字电压表电路图，你可以先做一次pna(power network analysis）--ir drop and em .
3. placement -自动放置标准单元。
布局规划后，宏单元、i/o pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息se（siliconensemble）会通过def文件传递给(physicalcompiler)，pc根据由综合给出的.db文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。如果你用的是pc astro那你可用write_milkway，三位半数字电压表的设计， read_milkway 传递数据。
数字ic后端设计（三)
9. dummy metal的增加。
foundry厂都有对金属密度的规定，使其金属密度不要低于一定的值，以防在芯片制造过程中的刻蚀阶段对连线的金属层过度刻蚀从而降低电路的性能。加入dummy metal是为了增加金属的密度。
10. drc和lvs。
drc是对芯片版图中的各层物理图形进行设计规则检查(*cing ，width)，它也包括天线效应的检查，以确保芯片正常流片。lvs主要是将版图和电路网表进行比较，来保证流片出来的版图电路和实际需要的电路一致。drc和lvs的检查--eda工具 synopsy hercule*e*r calibre/ cdn dracula进行的.astro also include lvs/drc check commands.
11. tape out。
在所有检查和验证都正确无误的情况下把后的版图gdsⅱ文件传递给foundry厂进行掩膜制造。
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应用验证是指导ic元器件在系统中的可靠应用的关键，*要关注应用系统对器件接口信号的影响，因此无论是采用纯软件还是软硬件协同的方式进行应用验证都需要先完成应用系统的pcb工作。本文提出的应用验证技术方案以基ibis模型在多个平台进行pcb si(signal integrity)的方式提取出所需的数据，实现对系统应用环境的模拟;在此基础上通过软件和软硬件协同两种方法来实现数字ic器件的应用验证。为保证应用验证的顺利进行，对方案中涉及到的ibis建模、pcb si和s参数的提取及等技术进行了研究。
提出的应用验证技术方案的指导下，以sram的应用验证为例进行了相关的技术探索。首先对ibis模型建模技术进行了深入研究，并完成了sram以及80c32等相关ic器件的ibis模型建模工作;接着基于ibis模型进行pcb si，模拟了sram的板级应用环境并提取了应用验证所需的数据;后分别对适用于sram的软件平台和软硬件协同平台进行了相关设计，并完成了sram的应用验证。通过对sram的应用验证，证明了本文所提出的应用验证技术方案的可行性。