肖特基二极管和齐纳管型号特性

肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，sbd是肖特基势垒二极管（schottkybarrierdiode，缩写成sbd）的简称。
sbd不是利用p型半导体与n型半导体接触形成pn结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，sbd也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。