25N06中压MOS现货

pd耗散功率：250wid漏源电流：25av(br)dss漏源击穿电压：60vrds(on)ω内阻：0.065ωvrds(on)ld通态电流：12.5avrds(on)栅极电压：10vvgs(th)v开启电压：2~4vvgs(th)ld(μa)开启电流：250μa
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