晶能光电(江西)有限公司(行政科)

晶能光电有限公司于2006年2月1日在开曼群岛注册成立，引进金沙江创投、MayfieldFund、AsiaVest、淡马锡控股、Keytone等创业投资机构5200万美元。晶能光电（江西）有限公司以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托，由晶能光电有限公司投资创立，注册资金5000万美元。公司从事硅衬底氮化镓基LED外延材料与芯片生产，在氮化镓基半导体发光材料领域创造性地发展出第三条技术路线。该技术是一种改写氮化镓基LED历史的新技术，具有原创技术产权，已获得或者公开国际国内发明专利50多项。硅衬底氮化镓基LED芯片具有如下三大优势：（一）具有原创技术产权：产品可销往国际市场，不受国际专利限制。（二）具有优良的性能：产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。（三）器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，可简化封装工艺、节约封装成本。2007年2月1日，在江西省委、省政府，南昌市委、市政府，高新区，省市有关部门及南昌大学的的大力支持下，产业化一期项目顺利开工。2007年10月，公司入驻新厂区；2008年5月开始试产，形成年产30亿粒芯片的产能。公司产业化将按“统一规划，分期实施”原则，分三期进行建设：第一期将于2010年完成，项目总投资9900万美元，建成后形成年产100亿粒芯片的产能。第二期投资2－3亿美元，实现年产值3－4亿美元，力争成为全球蓝、绿光LED龙头企业之一。第三期建设LED应用产品及产业集群，吸引全球半导体照明上下游配套产业在南昌集聚，建设成为有中国特色的LED与半导体照明基地。