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光刻胶的未来发展
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由于光刻胶的技术壁垒较高，国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。特别是高分辨率的krf和arf光刻胶，基本被日本和美国企业占据。
国内光刻胶生产商主要生产pcb光刻胶，面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中，pcb光刻胶占比94%，lcd光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚，目前技术水平相对落后，rr5光刻胶公司，生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品，tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
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一般来说线宽的用正胶，线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，rr5光刻胶，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于*湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，rr5光刻胶价格，正胶难以企及。
光刻胶按用途分类
光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照应用领域，光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和*紫外(euv)六个阶段。相对应于各*波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能更好地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域，光刻胶也是*其关键的材料。根据使用对象的不同，可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准*、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤，以实现图形的转移，制造特定的微结构。
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