进口化学气相沉积设备-沈阳鹏程真空技术公司

化学气相沉积的特点
化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，进口化学气相沉积设备报价，其特点如下。
i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。
2) cvd反应在常压或低真空进行，进口化学气相沉积设备公司，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、*蚀及*等表面增强膜是很重要的。
4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
6) 设备简单、操作维修方便。
7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。
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化学气相沉积法简介
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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响，生成固态物质堆积在加热的固态基体外表，进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。
化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。现在，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。
icp刻蚀机简介
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，进口化学气相沉积设备多少钱，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸ф340mm×160mm；
3.*限真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系统从大气开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电*间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。
气体：氦气/氧气/四氟化碳/*
12. 刻蚀速率
sio2：≥0.5μm/min
si：≥1μm/min
光刻胶：≥1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（φ4英寸范围内）
优于±6%（φ6英寸范围内）
14. 选择比
cf4的选择比为50，
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