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离子束刻蚀
离子束刻蚀是通过物理溅射功能进行加工的离子铣。国内应用广泛的双栅考夫曼刻蚀机通常由屏栅和加速栅组成离子光学系统，其工作台可以方便地调整倾角，使碲镉基片法线与离子束的入射方向成θ角，大样片离子束刻蚀机厂家，并绕自身的法线旋转
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离子束刻蚀机
加工
离子束刻蚀可达到很高的分辨率，适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑，大样片离子束刻蚀机原理，邻近区域不产生应力和损伤能加_工出任意形状的小孔，且孔形状只取决于掩模的孔形。
加工线宽为纳米级的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用电子束蒸镀10nm的金一铝(60/40)膜。
首先将样品置于真空系统中，其表面自然形成---种污染*蚀剂掩模，用电子束*显影后形成线宽为8nm的图形，大样片离子束刻蚀机品牌，然后用ya离子束刻蚀，离子束流密度为0.1ma/cm， 离子能量是1kev;另一种是在20nm厚的金一钯膜上刻出线宽为8nm的图形、深宽比提高到2.5:10。 由此可见离子束加工可达到很高的精度。
刻蚀气体的选择
对于多晶硅栅电*的刻蚀，腐蚀气体可用cl2或sf6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用cl2/sf6或sicl4/cl2；刻蚀sio2的腐蚀气体可用chf3或cf4/h2；刻蚀si3n4的腐蚀气体可用cf4/o2、sf6/o2或ch2f2/chf3/o2；刻蚀al（或al-si-cu合金）的腐蚀气体可用cl2、bcl3或sicl4；刻蚀w的腐蚀气体可用sf6或cf4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，大样片离子束刻蚀机，比如cf4、cf4 h2、chf3 等。我们选用chf3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：chf3 e——chf 2 f (游离基) 2e，sio 2 4f sif4 (气体) o 2 (气体)。sio 2 分解出来的氧离子在高压下与chf 2 基团反应， 生成co ↑、co 2↑、h2o ↑、o f↑等多种挥发性气体 [3] 。
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