其他相关的IC工艺技术问题

集成电路芯片偏置和驱动的电源电压vcc是选择ic时要注意的重要问题。从ic电源管脚吸纳的电流，主要取决于该电压值以及该ic芯片输出级驱动的传输线(pcb线和地返回路径)阻抗。5 v电源电压的ic芯片驱动50ω传输线时，吸纳的电流为100ma；3．3 v电源电压的ic芯片驱动同样的50ω传输线时，吸纳电流将减小到66 ma；1．8 v电压的ic芯片驱动同样的50ω传输线时，吸纳电流将减小到36 ma．。由此可见，在公式v=印刷电路板中的电磁兼容设计方法总结，驱动电流从100 ma减少到36 ma可以有效地降低电压的瞬变电压，因而也就降低了emi。低压差分件(lvds)的信号电压摆幅仅有几百毫伏，可以想像这样的器件技术对emi的改善将非常明显。
电源系统的去耦也是一个特别值得关注的问题。ic输出级通过ic的电源管脚吸纳的电流都是由电路板上的去耦网络提供的。降低电源总线上压降的一种可行办法是缩短去耦电容到ic输出级之间的分布路径，这样将降低公式中的“l”项。一种较直接的解决方法是将所有的电源去耦都放在ic内部。较理想的情况是直接放在硅基芯片上，并紧邻被驱动的输出级。目前仅有少数**微处理器采用了这种技术，但是ic厂商们对这项技术的兴趣正与日俱增，可以预见这样的设计技术必将在未来大规模、高功耗的ic设计中普遍应用。
在ic封装内部设计的电容通常数值都很小(小于几百皮法)，所以系统设计工程师仍然需要在pcb板上安装数值在0．001～0．1uf之间的去耦电容，然而ic封装内部的小电容可以抑制输出波形中的高频成分，这些高频成分是emi的较主要来源。
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