代理PW2309芯片 P沟道增强型MOSFET

一般说明
pw2309采用先进的沟道技术,提供优秀的rds(on),低栅电荷栅极电压低至4.5v,适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
vds=-60v,id=-3a
rds(开)<180mω@vgs=-10v
提供3针sot23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源

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