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陶瓷电容温度特性解析
陶瓷电容温度特性解析
根据美国的标准,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：开始部分为（例如字母x）工作温度下限；第二位部分有效数字为工作温度上限；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。
x7r表示为：开始一位x为工作温度下限-55℃，第二位的数字7位工作温度上限 125℃，第三位字母r为随温度变化的容值偏差±15%；
x5r表示为：开始一位x为工作温度下限-55℃，第二位的数字5位工作温度上限 85℃，第三位字母r为随温度变化的容值偏差±15%；
y5v表示为：开始一位y为工作温度下限-30℃，第二位的数字5位工作温度上限 85℃，第三位字母v为随温度变化的容值偏差 22%，-82%±15%。
z5u表示为：开始一位z为工作温度下限 10℃，第二位的数字5位工作温度上限 85℃，第三位字母u为随温度变化的容值偏差 22%，-56%，
怎样正确选择合适的陶瓷电容
怎样正确选择合适的陶瓷电容
1、陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其额定电压的条件下使用，否则由于电*中的金属离子在强电场作用下再陶瓷介质中的迁移速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。
2、对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因漏电*产生不好的循环导致电容器失效。通常绝缘电阻ir≥10000mω。例如：在crt加速*滤波位置应选用足够的绝缘电阻；对于行逆程电路，因对容量的稳定性和损耗要求较高，只能选用1类高压瓷介电容器，做为聚丙烯电容的容量补偿电容使用，否则会造成严重质量隐患。
陶瓷电容与其他电容相比，不同之处主要陶瓷电容器根据材料不同存在许多不同的温度组别，其特性和容量范围即有很大差异。
陶瓷电容去藕作用
去耦，也叫解耦。在电路中，总是可以将驱动源和被驱动负载区分开来。若负载电容较大，则驱动电路将电容充、放电，以完成信号跳跃，当上升沿陡峭线上升时，电流较大，因此所驱动的电流会吸收较多的电源电流，由于电路中的电感，电阻性(尤其是芯片管脚上的电感)会产生反弹，而电流相对于一般电流而言，实际上是一种噪音，会影响前级的正常工作，称为“耦合”。