金粒技术-上海金粒-沈阳东创【精益求精】

区域提纯后的*锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。
溅射靶材ito靶材的生产工艺 ito靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(hip)、溅射靶材热压法(hp)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：
热等静压法：ito靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，上海金粒，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，金粒技术，生产成本高，产品的缺氧率高。
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