上海伯东KRI离子源在半导体材料中的预清洗及刻蚀应用

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mω·cm～1gω·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。
本文主要介绍上海伯东kri离子源在半导体材料sio2中的预清洗及刻蚀应用。
sio2预清洗的原因:
sio2在刻蚀前需要将其表面的物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除，且不破坏晶体的表面特性。
kri离子源在sio2基片预清洗方法：
客户自己搭建真空系统，集成离子源，具体做法如下。1.将sio2基片放进真空系统，调整离子源；2.抽取真空到某真空度后，启动离子源；3.利用离子源释放的能量对sio2基片进行轰击；
kri离子源在sio2材料预清洗客户案例：
成都某工艺研究所，通过伯东购买离子源kdc40
kri离子源优势：
1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度,使拋光刻蝕速率快準確,拋光後的基材上獲得平坦,均勻性高的薄膜表面。
2.kdc考夫曼離子源內置型的設計符合離子源於離子拋光機內部的移動運行。
3.不僅廣泛應用於生產單位,且因離子抨擊能量強,蝕刻效率快。
4.可因應多種基材特性,單次使用長久,耗材成本極低,操作簡易,安裝簡易。
伯東公司是美國kri考夫曼離子源中國總代理。
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