上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000

因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。
上海伯东代理美国原装进口 kri霍尔离子源eh 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eh 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300v / 10a 或 15a
操作气体: ar, xe, kr, o2, n2, 有机前体
kri霍尔离子源eh 2000 特性：
•水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
•可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
•宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 iad 效率
•多用途 - 适用于 load lock / 超高真空系统; 安装方便
•高效的等离子转换和稳定的功率控制
kri霍尔离子源eh 2000 技术参数：
型号
eh 2000 / eh 2000l / eh 2000x02/ eh 2000 leho
供电
dc magnetic confinement
- 电压
40-300v vdc
- 离子源直径
~ 5 cm
- 阳极结构
模块化
电源控制
ehx-30010a
配置
-
- 阴极中和器
filament, sidewinder filament or hollow cathode
- 离子束发散角度
> 45° (hwhm)
- 阳极
标准或 grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移动或快接法兰
- 高度
4.0'
- 直径
5.7'
- 加工材料
金属
电介质
半导体
- 工艺气体
ar, xe, kr, o2, n2, organic precursors
- 安装距离
16-45”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架; sidewinder
kri霍尔离子源eh2000 应用领域：
•离子辅助镀膜 iad
•预清洗 load lock preclean
•预清洗 in-situ preclean
•direct deposition
•surface modification
•low-energy etching
•iii-v semiconductors
•polymer substrates
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专利. kri 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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