C2000哈氏合金板

哈氏合金c2000性能
在500-600℃温度范围内，c2000合金中能够沉淀析出单一类型的pt2mo型超点阵相，且其析出速率缓慢。该类型超点阵相的尺寸及其体积分数均随时效温度以及时效时间的增加而增大。在 650-800 ℃/100 h 条件下，c2000 合金中未沉淀析出任何类型的超点阵相，只伴随有富 mo 相(晶界)和碳化物(晶内)的析出。
705 oc/16 h+605 oc/32 h 前的冷变形促进了 c2000 合金中颗粒状 σ-fecr相沿孪晶处析出。600℃/100-500 h 时效前的冷变形延缓了 pt2mo 型超点阵相的析出速率，而 550℃/200 h 时效前的冷变形却加速了 pt2mo 型超点阵相的析出速率。这主要归因于等温时效前的冷变形改变了 pt2mo 型超点阵相析出时的等温ttt 曲线的位置，使其“鼻尖”温度更接近 550 ℃ 而远离 600℃。