碳化硅MOS管 1200V 19A 160mΩ

碳化硅mosfet 电压 电流 阻抗 驱动电压 封装外形
c2m0160120d 1200v 19a 160mω 20v to247-3
特征描述
采用超快体二极管，qrr极低
650v 击穿电压
相较于竞品，开关损耗显著降低
rds(on)的温度依赖性极低
优势
出色的硬换向稳健性
总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
可实现更高的功率密度
可在工业开关电源 (smps) 应用中实现卓越轻载效率
可在工业开关电源 (smps) 应用中提高满载效率
相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
应用领域
电动汽车快速充电
电信基础设施
服务器电源
太阳能系统解决方案