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光电探测器的原理
是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，pd光电探测器哪家好，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如pbs-pbo、sb2s3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。
光电探测器工作原理
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或*移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。
当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，北京康冠光电光电探测器多少钱，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，光电探测器，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 gaas、inp、inas、si、ge、gap 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。
光电探测技术发展概况
光电探测技术是根据被探测对象辐射或反射的光波的特征来探测和识别对象的一种技术，这种技术本身就赋予光电技术在军事应用中的四大优点，即看得更清、打得更准、反应更快和生存能力更强。
光电探测技术是现代中广泛使用的核心技术，它包括光电侦察、夜视、导航、制导、寻的、搜索、跟踪和识别多种功能。光电探测包括从紫外光（0.2～0.4μm）、可见光（0.4～0.7μm）、红外光（1～3μm，3～5μm，8～12μm）等多种波段的光信号的探测。
新一代光电探测技术及其智能化，将使相关获得更长的作用距离，更强的单目标/多目标探测和识别能力，从而实现更准确的打击和快速反应，硅光电探测器，在*的情况下取得的主动权。同时使装备具有很强的自主决策能力，增强了对*，反对*和自身的生存能力。实际上，*的光电探测技术已成为一个国家的军事实力的重要标志。
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