京迈研2303金属Mo钼靶材磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料

2303 金属 mo钼靶材 磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料【参数说明】
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【产品介绍】
钼为银白色金属，钼原子半径为0.14nm，原子体积为235.5px/mol，配位数为8，晶体为az型体心立方晶系，空间群为oh(lm3m)，至今还没发现它有异构转变.常温下钼的晶格参数在0.31467~0.31475nm之间，随杂质含量而变化。钼熔点很高，在自然界单质中名列第六，被称作难熔金属，见表2。钼的密度为10.23g/cm，约为钨的一半(钨密度19.36g/cm)。钼的热膨胀系数很低，20~100℃时为4.9×10/℃;钼的热传导率较高，为142.35w/(m·k) 。钼电阻率较低:0℃时为5.17×-10ω·cm;800℃时为24.6×-10ω·cm;2400℃时为72×-10ω·cm。钼属顺磁体，99.99%纯度的钼在25℃时比磁化系数为0.93×10cm/g。钼的比热在25℃时为242. 8j/(kg·k)。钼的硬度较大，摩氏硬度为5~5.5。钼在沸点的蒸发热为594kj/mol;熔化热为27.6 &plun;2.9kj/mol;在25℃时的升华热为659kj/mol。
中文名
钼
熔点
2622&plun;10℃
化学式
mo
沸点
5560℃
分子量
95.94
密度
10.2克/立方厘米
【关于我们】
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法gdms或icp光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注 ：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3w/cm2。
我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材，欢迎您的垂询。