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稳压二*管的伏安特性
1．稳定电压vz --在规定的稳压管反向工作电流iz下，所对应的反向工作电压。
2．动态电阻rz--其概念与一般二*管的动态电阻相同，只不过稳压二*管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rz愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz＝△vz /△iz
3．大耗散功率 pzm --稳压管的大功率损耗取决于pn结的面积和散热等条件。反向工作时，pn结的功率损耗为 pz＝vziz，由 pzm和vz可以决定izmax。
4．大稳定工作电流izmax 和稳定工作电流izmin --稳压管的大稳定工作电流取决于大耗散功率，整流二*管，即pzmax ＝vzizmax 。而izmin对应vzzmin。 若iz＜izzmin，则不能稳压。
5．稳定电压温度系数 αvz--温度的变化将使vz改变，二*管，在稳压管中，当|vz|＞7 v时，vz具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|vz|＜4v时， vzz具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4v＜|vz| ＜7v时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二*管可以作为标准稳压管使用。
稳压二*管标注主要参数有哪些
标注α---温度系数
如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。一般说来稳压值低于6v属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6v的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。
雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15v的稳压管其稳压值随温度逐渐*的，而稳压值为5v的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。
例如2cw58稳压管的温度系数是 0.07%/°c，即温度每升高1°c，整流 二*管，其稳压值将升高0.07%。
对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，稳压二*管，可使温度系数达到0.0005%/℃。
标注ir— 反向漏电流
指稳压二*管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2cw58稳压管的vr=1v时，ir=o.1ua;在vr=6v时，ir=10ua。
二*管简单概述
概述
二*管，英文名称zener diode，又叫齐纳二*管 。稳压二*管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
二*管起电压调节作用，当负载电流减少时，限流电阻两端电压降便下降，输出电压上升，即相对地加大稳压二*管的反向电压，稳压电流iz上升，使irs亦上升，限流电阻rs的管压降便上升，输出电压下降，结果输出电压保持不变。缺点是不能获得较大输出电流。
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