通辽*碎太阳能电池板回收来电咨询

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：*回收硅片，电池片，*碎太阳能电池板回收，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，*偿还，返工，光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体*成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物*而被去除。
化学公式： cf 4 sio 2 =sif 4 co 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： sih 4 nh 3 =sin:h 3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴*上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的*能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau ）。
直接式：基片位于一个电*上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电*。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。
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电池片组件回收
（1）刚开始环节，层压机的溫度维持在较低溫度，eva熔融，有优良的流通性，可是化学交联速率比较慢。进口真空泵对下室真*装，因此部件內部的汽体快速而且非常容易的被吸走。上室维持真空泵，部件没受工作压力。
（2）eva干固环节。层压机溫度上升到1个较高溫度，eva产生迅速的化学交联反映。下室继续保持真*装，立即排出来干固全过程造成的汽体。一起上室打气，上下左右室中间的工作压力差使层压机中的硫化橡胶层对部件施压。
（3）完毕环节。eva干固进行。起先上室真*装，移去工作压力，随后下室打气，打开表盖。针对bipv部件，两面全是夹层玻璃，而且为了实现工程建筑规定，片式玻璃的厚度乃至超过5mm。基本的绝缘层背膜-eva-电池片-eva-夹层玻璃5层封裝加工工艺，此环节压层出現的难题较多。封裝出現的汽泡，挪动等状况，依据eva熔化干固基本原理，探求合适封裝的与众不同加工工艺。依据具体生产制造必须和必须品牌eva的干固特点按给出方式提升压层主要参数。
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