便携式IGBT测试仪-华科动态参数IGBT
4验收和测试3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,便携式igbt测试仪现货供应,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。电流 通过选择不同档位电感,满足0~200a电流输出需求(10ms)。4)测试单元发货到买方前,卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估,便携式igbt测试仪,通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则,便携式igbt测试仪厂家,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac(可控硅)、scr(晶闸管)、 gto等各型闸流体与二*管(di ode)等,其工作电流与电压乘积若大于1kw以上,均可属于大功率的范围。建议进行高温测试,模拟器件使用工况,更为准确的判断器件老化程度。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
gbt模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件igbt模块动态参数。测试温度范围 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模块动态测试参数及指标
测试单元对igbt模块和frd的动态参数及其他参数的定义满足iec60747-9以及iec60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
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