1310nm超辐射发光二极管芯片

lovi的超辐射发光二极管芯片(sled)为1310nm。高性能低极化和低纹波。本设计采用多量子阱有源层脊波导结构，表面涂有增透层。
chip configuration: 
top contact: anode 
bottom contact: cathode 
chip cavity length: 750 (±20) um 
chip width: 250 (±20) um 
thickness: 100 (±12.5) um
angle: 22 degrees