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光刻胶
在*过程中，正性胶通过感光化学反应，nr26 25000p光刻胶公司，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以*后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。*后的光刻胶溶解速度几乎是未*的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在*区间显影，负性胶则相反。负性胶由于*区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。
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光刻胶的主要技术参数
1．灵敏度（sensitivity）
灵敏度是衡量光刻胶*速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，nr26 25000p光刻胶，所需的*剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2．分辨率（resolution）
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（cd，critical dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：
(1) *系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、*、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌，nr26 25000p光刻胶哪家好，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作underlayer），其对光是不敏感的。*显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，nr26 25000p光刻胶多少钱，含si的树脂等
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