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高导热氮化硅陶瓷生产方法
氮化硅陶瓷具有优异的力学性能和高的理论热导率，是大功率电力电子器件的散热基片材料.但是，高导热氮化硅陶瓷对原料要求高，且制备条件苛刻，因此制备成本很高.本研究提出了一种低成本的制备方案.以tio2-mgo作为烧结助剂，以高纯硅粉作为起始原料，通过流延成型和硅粉氮化制备素坯，在1600~1750℃的温度范围内实现氮化硅陶瓷的无压烧结，碳化硅推板回收，研究了tio2的添加量和烧结温度等条件对于氮化硅陶瓷的致密化，晶相，微结构，力学性能以及热导率的影响规律，终制备的氮化硅陶瓷相对密度达到99%以上，室温热导率达到81 w/m·k.
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碳化硅陶瓷
性能：具有优良的常温力学性能，高能*弯强度，优良的耐氧化性，良好的耐腐蚀性，高的*磨损以及低的摩擦系数，其高温强度可一直维持到1600c，是陶瓷材料中高温强度较好的材料，性也是非氧化物陶瓷中较好的。
优点：碳化硅陶瓷具有优良的耐高温蠕变性能，且具有半导体性能，少量杂质的掺入会表现出良好的导电性，加工可获得镜面的效果。
缺点：碳化硅陶瓷的缺点是断裂韧性较低，即脆性较大。
应用：广泛应用于大型高炉内衬；机械密封环，去金属毛刺的刀具等。
氮化硅材料是耐火材料和高温材料行业广泛使用的一种材料，常见的氮化硅材料有氮化硅陶瓷、氮化硅结构件、氮化硅结合碳化硅砖等，在钢铁、化工、玻璃、陶瓷、有色金属行业的高温窑炉上大量使用。
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