上海伯东 KRi 射频离子源 RFICP 220

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上海伯东代理美国原装进口 kri 射频离子源 rficp 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 rficp 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 好的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 rficp 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 ma.
kri 射频离子源 rficp 220 技术参数:
型号
rficp 220
discharge 阳极
rf 射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
lfn 2000
kri射频离子源rficp 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)ibad,
溅镀和蒸发镀膜 pc
离子溅射沉积和多层结构 ibsd
离子蚀刻 ibe
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专利. kri 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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