NR26 25000P光刻胶-赛米莱德

微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢？
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一般来说线宽的用正胶，线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，nr26 25000p光刻胶厂家，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，nr26 25000p光刻胶，在对于*湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。
光刻胶的组成
光刻胶一般由4种成分组成:树脂型聚合物、光活性物质、溶剂和添加剂。树脂是光刻胶中占比较大的组分，构成光刻胶的基本骨架，nr26 25000p光刻胶公司，主要决定*后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光活性物质是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等其决定性作用。
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光刻胶是什么材料
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
1、光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶。反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
2、普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着*加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高*系统分辨率的性能，人们正在研究在*光刻胶的表面覆盖*反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，nr26 25000p光刻胶哪家好，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
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