高频开关整流器用功率管是什么，功率管的特性及主要参数

自20世纪70年代开关电源实现“20 khz”的之后的一段时间内，虽然在电路技术方面进行了改进和提高，但局限于当时半导体器件工业的发展水平，作为开关电源主要部件的大功率开关管的主要参数均满足不了较高频率、较大功率开关电源的设计要求。
高频开关整流器用功率管是什么 自20世纪80年代以来大功率、高反压的绝缘栅场效应功率管问世之后，伴随着开关电源**集成控制电路的应用，已逐步将开关电源的工作频率提高到100khz以上甚至达到500～700khz。电源的体积和重量大大减小,单机输出功率由过去的几百瓦已发展到现在的几千瓦。
mosfet功率管的特性及主要参数
金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-seniconductor type field-effect transistor)简称mosfet，是在近十几年发展起来的一种高速、大功率、高耐压的开关器件，由于这种开关功率管属电压控制型，稳态工作时栅较控制电流很小，所以具有很高的电流增益和输入阻抗。而且结电容很小，几乎不存在储存时间。
(a)和(b)分别为npn 型双较型晶体管和n沟道 mosfet的表示符号。
(a)中双较型晶体管的3个较分别为集电极(c)、基较(b)和**较(e)，也就是我们一般所称的三极管。mosfet 与之相对应的3个较分别为漏较(d)、栅较(g)和源较(s)。n沟道mosfet管工作时的电流流向与npn型三极管电流流向相同，这就决定了mosfet管在电路中的连接方法与npn型三极管是一致的，但它们在构造和工作方法上有很大的区别。根本的区别是mosfet管是多数载流子运动导电的半导体器件而三极管是既利用多数载流子又利用少数载流子运动而导电的半导体器件。
mosfet管的静态工作特性与双较型晶体管的工作特性很相似，mosfet管的输出特性曲线。
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