华润华晶CS10N80FA9D

描述
cs10n80fa9d，硅n沟道增强型vdmosfet是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为to-220f，符合rohs标准。
特征
•快速切换
•lesd改进能力
•低栅极电荷（典型数据：65nc）
•低反向转移电容（典型值：25pf）
•100%单脉冲雪崩能量测试
应用
•pc power的电源开关电路