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两种封装类型的二*管
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折叠合金扩散型二*管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,大功率快恢复二*管品牌,以便在已经形成的pn结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二*管。折叠外延型二*管用外延面长的过程制造pn结而形成的二*管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二*管。
快恢复二*管是如何被击穿的
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快恢复二*管外加反向电压超过某一数值时,大芯片快恢复二*管品牌,反向电流会突然*,这种现象称为电而击穿。引起电而击穿的临界电压称为二*管反向击穿电压。电作为击穿时二*管失去单向导电性。如果二*管没有因电而击穿而引起过热,充电器快恢复二*管品牌,则单向导电性不一定会被永而久之*,在撤除外加电压后,快恢复二*管品牌,其性能仍可恢复,否则二*管就损坏了。因而使用时应避免二*管外加的反向电压过高。
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快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同,它是在p型、n型硅材料中间增加了基区i,构成p-i-n硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6v,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
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