10N60插件封装MOS管-ASEMI-插件封装MOS管

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mos管的金属氧化物是什么？
mos管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，25n120插件封装mos管，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅*只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅*和源漏*是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅*电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。
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什么是增强型mos管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅*电压越低，则p型源、漏*的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅*，栅*电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，6n60插件封装mos管，就是图示效果。因此，容易理解，栅*电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，10n60插件封装mos管，用栅*来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：
7. *间电容
·三个电*之间都存在着*间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds
·cgs和cgd约为1~3pf，cds约在0.1~1pf之间
8. 低频噪声系数nf
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，插件封装mos管，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝(db)。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双*性三*管的要小
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