90N10品质供应商-ASEMI(在线咨询)-品质供应商

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asemi品牌 25n120 mos场效应晶体管 插件封装 mosfet
型号：25n120
封装：to-247/3p
漏*电流（vds）：25a
漏源电压（id）：1200v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般为n沟道和p沟道，24n50品质供应商，详情参考右侧图片(p沟道耗尽型mos管)。而p沟道常见的为低压mos管。
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asemi品牌 to-220 mos场效应晶体管 100n10
型号：100n10
封装：to-220ab
漏*电流（vds）：100a
漏源电压（id）：100v
工作温度：-55℃~150℃
封装类型：插件
种类：场效应晶体管/mosfet
品牌：asemi
场效应管通过投影p沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，品质供应商，所以fet管的gate电流非常小。
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asemi品牌 mos管 sym601 600v mosfet
型号：sym601
封装：sot-89
漏*电流（vds）：1a
漏源电压（id）：600v
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：贴片
种类：场效应晶体管/mosfet/mos管
品牌：asemi
mos电容的gate电位是0v。金属gate和半导体backgate在work function上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属*带轻微的正电位，p型硅负电位。
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