华润华晶CS4N65A4R

描述
cs4n65a4r，硅n沟道增强型vdmosfet是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为to-252，符合rohs标准。
特征
快速切换
低导通电阻（rdson≤2.8Ω)
低栅极电荷（典型数据：14.5nc）
低反向转移电容（典型值：3.5pf）
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。