ASEMI(图)-24N50插件场效应管-插件场效应管

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mos管发热原因是什么？
mos管发热，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，显现交流特性而具有阻*，形成电流。有电流就有发热，并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅*电压爬升缓慢时，导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点，这时，24n50插件场效应管，导通电阻很大，发热比较厉害。第三个原因是导通后，沟道有电阻，过主电流，形成发热。主要考虑的发热是和第3点。许多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。超过此温度，插件场效应管，mos管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。
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asemi品牌 24n50 mos场效应管 插件封装类型mosfet
型号：24n50
封装：to-247/3p
漏*电流（vds）：24a
漏源电压（id）：500v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：asemi
场效应管(fet)，9n90插件场效应管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。fet的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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mos管（mosfet）的工作原理之发热分析：
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到mos管。mos管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论n型或者p型mos管，25n120插件场效应管，其工作原理本质是一样的。mos管是由加在输入端栅*的电压来控制输出端漏*的电流。mos管是压控器件它通过加在栅*上的电压控制器件的特性，不会发生像三*管做开关时的因基*电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，mos管的开关速度应该比三*管快
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