黑碳化硅用途-宜春黑碳化硅-正拓磨料

黑碳化硅氧化的原因
黑碳化硅材料在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的性能，这是由于在高温条件下，材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的sio2膜，氧在sio2氧化膜中的扩散系数非常小，宜春黑碳化硅，因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，sic转化为挥发性的sio2保护膜被环境腐蚀，黑碳化硅粒度，这将导致材料被快速氧化，即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止，对材料在高温、氧化气氛中，黑碳化硅微粉用途，硅材料表面会生成致密的sio2膜，它的反应为：
sic 3/2o2→ sio2 co
sic 2o2 →sio2 co2
表层sic到sio2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，sic的早期氧化产物为玻璃台态sio2膜。随着氧化温度的升高，黑碳化硅用途，约800~1140℃，玻璃态sio2膜发生晶化。相变将产生体积变化，这使得sio2保护膜结构变得疏松，进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样，其氧化保护作用骤减。另外，当黑碳化硅材料循环使用时，由于sio2在500℃以下热膨胀系数变化较大，而基材的热膨胀系数变化不大，这样，保护膜与基材间热应力变化较大，保护膜易。对于空隙较多的制品，如氮化硅结合材料，会发生晶界颈部氧化，产生的sio2导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致制品*：的惰性氧化会产生气体产物，这将产泡现象，使sio2膜的氧化保护作用减小。
黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应，所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素，从而确保材料的优良属性不会被*。
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400v。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
在硅材料已经接近理论性能*限的今天，sic功率器件因其高耐压、低损耗、等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对于以往的si材质器件，sic功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为sic功率器件能否*普及的关键。
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黑碳化硅是以石英砂，石油焦和硅石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，性脆而锋利。碳化硅(sic)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
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