富士IGBT模块2MBI100VA-120-50

2mbi100va-120-50
技术参数：
• ic(a),tc=80℃ 100
•vce(sat),max(v) 1.85
•ton(us) -
•toff(us) -
•rth(j-c),k/w -
•pc(w) -
• 封装 -
• 电路结构 半桥
性能概要：
•高速开关
•电压驱动
•低电感模块结构
目标应用：
• 变频电机驱动
• ac和dc伺服驱动放大器
• 不间断电源
• 工业机器，如电焊机
2mbi100va-120-50是igbt模块，具有沟槽结构，并通过在传统的npt-igbt的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 pt 和 npt 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 igbt3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达200℃。低损耗，2mbi100va-120-50 igbt模块具有低emi噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100kw光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
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