MOS管-美国万代AOS产品全系列

pmos是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管。全称 ： positive channel metal oxide semiconductor；别名 ： positive mos。
基本信息：
pmos是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管全称 ： positive channel metal oxide semiconductor别名 ： positive mos金属氧化物半导体场效应(mos)晶体管可分为n沟道与p沟道两大类， p沟道硅mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的n型硅表面呈现p型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种mos场效应晶体管称为p沟道增强型场效应晶体管。如果n型硅衬底表面不加栅压就已存在p型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的mos场效应晶体管称为p沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。