轨道交通用IGBT测试仪-华科半导体测试仪

3.6vces集射*截止电压0~5000v集电*电流ices：0.01～1ma±3%±0.001ma；1～10ma±2%±0.01ma；10～50ma±1%±0.1ma；3半导体变流器变压器和电*器gb/t4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二*管。集电*电压vces：0-5000v±1.5%±2v；*3.7 ices集射*截止电流0.01～50ma集电*电压vces：50～500v±2%±1v；500～5000v±1.5%±2v；集电*电流ices：0.001～1ma±3%±0.001ma；1～10ma±2%±0.01ma；10～150ma±1%±0.1ma；*3.8vce(sat)饱和导通压降0.001～10v集电*电流ice：0-1600a集电*电压vces：0.001～10v±0.5%±0.001v栅*电压vge：5～40v±1%±0.01v集电*电流ice：0～100a±1%±1a；100～1600a±2%±2a；*3.9iges栅*漏电流0.01～10μa栅*漏电流iges：0.01～10μa±2%±0.005μa栅*电压vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v；vce=0v；*3.10vf正向特性测试0.1～5v二*管导通电压vf：0.1～5v±1%±0.01v电流if：0～100a±2%±1a；100～1600a±1.5%±2a；
测试的igbt参数包括：ices（漏流）、bvces（耐压）、igesf（正向门*漏流）、igesr（反向门*漏流）、vgeth（门槛电压／阈值）、vgeon（通态门*电压）、vcesat（饱和压降）、icon（通态集*漏流）、vf（二*管压降）、gfs（跨导）、rce（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度，轨道交通用igbt测试仪批发， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在*工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，轨道交通用igbt测试仪，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有*的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2kv。
轨道交通用igbt测试仪-华科半导体测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。安全技术要求：满足gb19517—2009国家电气设备安全技术规范。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇*中心b座606，联系人：陈少龙。